Intel18A芯片現(xiàn)已上電運行，并順利啟動操作系統(tǒng)，將用于明年推出的新一代客戶端和服務器產(chǎn)品。外部客戶產(chǎn)品將于明年上半年完成流片。英特爾宣布，基于Intel18A制程節(jié)點打造的首批產(chǎn)品——AIPC客戶端處理器PantherLake和服務器處理器ClearwaterForest，其樣片現(xiàn)已出廠、上電運行并順利啟動操作系統(tǒng)。距離流片僅隔不到兩個季度，英特爾便再次取得了突破性進展。目前，PantherLake和ClearwaterForest均進展順利，預計將于2025年開始量產(chǎn)。此外，英特爾還宣布，采用Intel18A的首家外部客戶預計將于明年上半年完成流片。英特爾公司高級副總裁兼代工服務總經(jīng)理KevinO’Buckley表示：“面向AI時代，我們正在推進多項前沿系統(tǒng)級代工技術，為英特爾產(chǎn)品部門和我們的代工客戶提供對下一代產(chǎn)品至關重要的全棧式創(chuàng)新。我們?yōu)镮ntel18A目前取得的進展感到鼓舞，并正與客戶密切，目標是在2025年將Intel18A推向市場。”上個月，英特爾發(fā)布了Intel18APDK(制程設計套件)的1.0版本，讓代工客戶能夠在基于Intel18A的芯片設計中利用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術。EDA和IP合作伙伴正在完善對Intel18A的支持，以便其客戶能夠展開新產(chǎn)品的設計。這些進展表明，英特爾代工率先在向客戶開放的制程節(jié)點上實現(xiàn)了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術的結(jié)合。借助生態(tài)系統(tǒng)提供的EDA和IP工具以及工藝流程，RibbonFET和PowerVia這兩項突破性的創(chuàng)新技術將通過Intel18A向代工客戶提供。英特爾代工憑借其有韌性、更可持續(xù)、更可靠的制造能力和供應鏈，以及業(yè)界領先的先進封裝技術，整合了設計和制造下一代規(guī)模更大、運行更高效的AI解決方案所需的要素。在沒有額外配置或修改的情況下，PantherLake和ClearwaterForest能夠順利啟動操作系統(tǒng)，清楚地表明了Intel18A的良好狀況——英特爾預計將于2025年通過這一先進制程技術重獲制程領先性。PantherLake的DDR內(nèi)存性能已達到目標頻率，同樣體現(xiàn)了Intel18A的順利進展。將于明年首次大規(guī)模生產(chǎn)的ClearwaterForest，提供了CPU和AI芯片的設計藍圖，結(jié)合了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管、PowerVia背面供電和FoverosDirect3D先進封裝技術的高性能解決方案，以實現(xiàn)更高密度和功率處理能力。ClearwaterForest也將是采用Intel3-Tbase-die技術的首款產(chǎn)品。依托英特爾代工的系統(tǒng)級代工能力，PantherLake和ClearwaterForest有望在每瓦性能、晶體管密度和單元利用率方面實現(xiàn)顯著提升。英特爾的EDA和IP合作伙伴已于7月獲得了Intel18APDK1.0版本的訪問權限，正在更新其工具和設計流程，以便外部代工客戶開始基于Intel18A的芯片設計。這是英特爾代工業(yè)務的一個關鍵里程碑。Cadence高級副總裁兼定制IC和PCB事業(yè)部總經(jīng)理TomBeckley表示：“通過提供業(yè)界領先的EDA和專為Intel18A優(yōu)化的IP，Cadence與英特爾代工的戰(zhàn)略合作能夠幫助我們的共同客戶加速創(chuàng)新。Intel18A的最新進展令人鼓舞，我們也很高興能在基于Intel18A的先進設計上為客戶提供支持?！盨ynopsysEDA事業(yè)部總經(jīng)理ShankarKrishnamoorthy也表示：“很高興看到英特爾代工抵達關鍵里程碑。英特爾代工已準備好為客戶提供Intel18A制程節(jié)點，并正在將設計下一代AI解決方案所需的各要素整合在一起，這正是我們的共同客戶需要和期待的。作為芯片設計公司和代工廠之間的橋梁，Synopsys在全球晶圓代工行業(yè)中起著重要作用，我們很榮幸能與英特爾代工合作，面向英特爾的先進制程節(jié)點提供Synopsys領先的EDA和IP解決方案?！盧ibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術是Intel18A的兩項核心技術，有助于處理器的進一步微縮及其能效的持續(xù)提升，這正是推動AI計算的發(fā)展所需要的。RibbonFET能夠嚴格控制晶體管溝道中的電流，有助于芯片組件的進一步小型化，同時可以減少漏電，隨著芯片密度的持續(xù)提升，這一點變得非常重要。PowerVia則通過將電源線移至晶圓背面，優(yōu)化了信號路由，進而降低了電阻，提高了能效比。RibbonFET和PowerVia的強強聯(lián)合有望大幅提高未來電子設備的計算性能和電池壽命。英特爾率先將結(jié)合了全環(huán)繞柵極晶體管架構和背面供電技術的制程節(jié)點推向市場，將使全球代工客戶受益。